Перспективные полупроводниковые лазеры и технологии

Институт:

ИФИБ

Направление подготовки:

03.04.02 Физика

Бурное развитие применений полупроводниковых лазеров и лазерных систем на их основе в различных технологических областях в современном мире, связанное с их уникальными характеристиками (например, высоким КПД, малогабаритность и др.), обуславливает необходимость подготовки высококвалифицированных кадров. В НИЯУ МИФИ подготовка кадров в данной области реализуется на кафедре №88 «Полупроводниковая квантовая электроника и биофотоника». Программа обучения предусматривает приобретение выпускниками широкого спектра компетенций, позволяющих работать в таких сферах деятельности как научно-исследовательская, проектная, экспертная, производственно-технологическая, управленческая. Программа вступительных испытаний

Учебный план

года

обучения

магистратура
язык:
русский,английский
форма обучения:
очная

бюджетных
мест

платных
мест

363 000 ₽

стоимость обучения в год

руководитель программы

Завестовская Ирина Николаевна

д.ф.-м.н., с.н.с

По вопросам поступления

+7 (495) 788 56 99, доб. 8374

AAFronya@mephi.ru

Основные преимущества

Программа нацелена на современную индустрию (разработка, производство лазеров, применение лазеров и устройств на их основе, в том числе биомедицинские приложения)
Гибкая образовательная траектория позволяет сочетать фундаментальную подготовку и практическое обучение
Кафедра работает в связке с базовой организацией ФИАН и организациями - партнерами, студентам доступны ресурсы современных исследовательских центров, в том числе международных
Обучение на программе - это доступ к академическому и экспертному сообществу в области полупроводниковых и лазерных технологий

Уникальные дисциплины